包含加溫好幾個半導體芯片芯片以危害其電氣功能。熱處理工藝是關于不一樣的實際效果而制定的

可進行常壓滲碳或脈沖滲碳，滲碳速度快，滲層質量好，可進行深部滲碳。

當需求冷卻時，首先將氮氣引入爐內發動風扇，然后在空氣正常運轉后將氣體送入爐內，通過換熱器冷卻，空氣通過風管送風，工件淬火。

首先，依照PLC程序抽低真空：緊閉一切的真空閥門，發動機械泵，待其運轉正常后（大約1-2 min），打開通向爐體的低真空閥即上碟閥，預先對爐體抽低真空。

真空燒結爐可滿足快速升溫工藝要求；溫控切換器使用進口多段智能程序攝氏度控制儀控制，攝氏度控制切換器的穩定性

超溫運用則會加劇裂紋的發生，因而也不要長時間在設計溫度下運用

真空燒結爐運用后要進行烘干處理。在烘干初期，升溫速度低，時間長，由于升溫時真空燒結爐是冷的，爐體資料水分高，所以有必要進行烘干。